R
X
G
страница:
navigation

BUP306D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
BUP306D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 21A, применение: Интегрированный диод, Универсальный
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP306D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:MGW12N120D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP306D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
BUP306D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 21A, применение: Интегрированный диод, Универсальный
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP306D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:MGW12N120D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP306D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
BUP306D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 21A, применение: Интегрированный диод, Универсальный
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP306D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:MGW12N120D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

MGW12N120D


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to BUP306D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
MGW12N120D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, применение: Мощный транзистор универсального назначения, Интегрированный диод
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-247
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BUP313D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MGW12N120D


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to BUP306D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
MGW12N120D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, применение: Мощный транзистор универсального назначения, Интегрированный диод
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-247
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BUP313D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MGW12N120D


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to BUP306D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
MGW12N120D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, применение: Мощный транзистор универсального назначения, Интегрированный диод
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-247
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BUP313D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией